Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
STB28N60DM2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- STMICROELECTRONICS STB28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet
Lagernummer 18500
- 1+： $8.66870
- 10+： $8.17802
- 100+： $7.71511
- 500+： $7.27841
- 1000+： $6.86642
Zwischensummenbetrag $8.66870
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：17 Weeks
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вид крепления：Surface Mount
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：21A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：170W Tc
- Серия：MDmesh™ DM2
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Основной номер части：STB28N
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：160m Ω @ 10.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1500pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：34nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Непрерывный ток стока (ID)：21A
- Пороговое напряжение：4V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- REACH SVHC：No SVHC
Со склада 18500
- 1+： $8.66870
- 10+： $8.17802
- 100+： $7.71511
- 500+： $7.27841
- 1000+： $6.86642
Итого $8.66870
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
