STB33N60M2

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
Date Sheet

Lagernummer 1000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Вес：3.949996g
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：26A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：190W Tc
Время отключения：109 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：MDmesh™ II Plus
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STB33N
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：190W
Время задержки включения：16 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：125m Ω @ 13A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1781pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45.5nC @ 10V
Время подъема：9.6ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：9 ns
Непрерывный ток стока (ID)：26A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STB33N60M2 STMicroelectronics
Запрос Со склада 1000
STB28N60M2 STMicroelectronics
Запрос Со склада 37
STB35N60DM2 STMicroelectronics
Запрос Со склада 40000

Телефон

STB33N60M2