STB28N60M2

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET POWER MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 37

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Покрытие контактов：Tin
Вес：3.949996g
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：170W Tc
Время отключения：100 ns
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：22A Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：MDmesh™ II Plus
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：STB28N
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：14.5 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：150m Ω @ 11A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1440pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：36nC @ 10V
Время подъема：7.2ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：22A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Максимальный импульсный ток вывода：88A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：350 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 37

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STB28N60M2 STMicroelectronics
Запрос Со склада 37
STB26NM60ND STMicroelectronics
Запрос Со склада 207
STB33N60DM2 STMicroelectronics
Запрос Со склада 1000

Телефон

STB28N60M2