Изображение служит лишь для справки
STB26NM60ND
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
Date Sheet
Lagernummer 207
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов:3
- Вес:3.949996g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:21A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:190W Tc
- Время отключения:69 ns
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:FDmesh™ II
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Форма вывода:GULL WING
- Основной номер части:STB26N
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:22 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:175m Ω @ 10.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1817pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:54.6nC @ 10V
- Время подъема:14.5ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):600V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Время падения (тип):27.5 ns
- Непрерывный ток стока (ID):21A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):25V
- Максимальный импульсный ток вывода:84A
- Минимальная напряжённость разрушения:600V
- Высота:4.6mm
- Длина:10.4mm
- Ширина:9.35mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 207
Итого $0.00000
аналогичные продукты










