Изображение служит лишь для справки
STB33N60DM2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet
Lagernummer 1000
- 1+: $5.07213
- 10+: $4.78503
- 100+: $4.51418
- 500+: $4.25866
- 1000+: $4.01760
Zwischensummenbetrag $5.07213
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя:17 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов:3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:24A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:190W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:MDmesh™ DM2
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:STB33N
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:130m Ω @ 12A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1870pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:43nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):600V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Непрерывный ток стока (ID):24A
- Пороговое напряжение:4V
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 1000
- 1+: $5.07213
- 10+: $4.78503
- 100+: $4.51418
- 500+: $4.25866
- 1000+: $4.01760
Итого $5.07213
аналогичные продукты










