Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
STB33N60DM2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet
Lagernummer 1000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：17 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：24A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：190W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：MDmesh™ DM2
- Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STB33N
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：130m Ω @ 12A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1870pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：43nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Непрерывный ток стока (ID)：24A
- Пороговое напряжение：4V
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1000
Итого $0.00000
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
