Изображение служит лишь для справки
KSH122ITU
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- TRANS NPN DARL 100V 8A I-PAK
Date Sheet
Lagernummer 26800
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя:15 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Количество контактов:3
- Вес:343.08mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальная мощность рассеяния:1.75W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:1000
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2V
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2013
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:100V
- Моментальный ток:8A
- Основной номер части:KSH122
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:NPN - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):100V
- Максимальный ток сбора:8A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:1000 @ 4A 4V
- Ток - отсечка коллектора (макс):10μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:4V @ 80mA, 8A
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 26800
Итого $0.00000
аналогичные продукты










