Изображение служит лишь для справки
2SC5706-P-E
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
Date Sheet
Lagernummer 308
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Максимальная мощность рассеяния:800mW
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2016
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:800mW
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):240mV
- Максимальный ток сбора:5A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:200 @ 500mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:240mV @ 100mA, 2A
- Частота - Переход:400MHz
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 308
Итого $0.00000
аналогичные продукты










