Изображение служит лишь для справки

KSH44H11ITU

Lagernummer 4940

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
  • Срок поставки от производителя:15 Weeks
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Количество контактов:3
  • Вес:343.08mg
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Диэлектрический пробой напряжение:80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:1V
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):50MHz
  • Максимальная мощность рассеяния:1.75W
  • Количество элементов:1
  • Минимальная частота работы в герцах:60
  • Рабочая температура:150°C TJ
  • Пакетирование:Tube
  • Опубликовано:2017
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:yes
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
  • Ток постоянного напряжения - номинальный:80V
  • Моментальный ток:8A
  • Частота:50MHz
  • Основной номер части:KSH44H11
  • Конфигурация элемента:Single
  • Распад мощности:1.75W
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:NPN
  • Тип транзистора:NPN
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):80V
  • Максимальный ток сбора:8A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:40 @ 4A 1V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):10μA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1V @ 400mA, 8A
  • Частота перехода:50MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
  • Корпусировка на излучение:No
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 4940

Итого $0.00000