BD680ASTU

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126
Date Sheet

Lagernummer 17

1+： $0.83852
10+： $0.79106
100+： $0.74628
500+： $0.70404
1000+： $0.66419

Zwischensummenbetrag $0.83852

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：20 Weeks
Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Покрытие контактов：Tin
Количество контактов：3
Вес：761mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Минимальная частота работы в герцах：750
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：14W
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.8V
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Опубликовано：2002
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：150°C TJ
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-80V
Моментальный ток：-4A
Основной номер части：BD680
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：14W
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 2A 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.8V @ 40mA, 2A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
Прямоходящий ток коллектора：-4A
Ширина：3.25mm
Длина：8mm
Высота：11mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Корпусировка на излучение：No
Без свинца：Lead Free

Со склада 17

1+： $0.83852
10+： $0.79106
100+： $0.74628
500+： $0.70404
1000+： $0.66419

Итого $0.83852

аналогичные продукты

BD680ASTU ON Semiconductor
от$0.8385219 Со склада 17
BD682S ON Semiconductor
от$0.77598 Со склада 109
BD682STU ON Semiconductor
от$0.4747136 Со склада 13
BD678AS ON Semiconductor
от$0.3882546 Со склада 1218

Телефон

BD680ASTU