BD678AS

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126
Date Sheet

Lagernummer 1218

1+： $0.38825
10+： $0.36628
100+： $0.34555
500+： $0.32599
1000+： $0.30753

Zwischensummenbetrag $0.38825

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：6 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Вес：761mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.8V
Максимальная мощность рассеяния：14W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：750
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2002
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-60V
Моментальный ток：-4A
Основной номер части：BD678
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Мощность - Макс：14W
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 2A 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.8V @ 40mA, 2A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
Прямоходящий ток коллектора：-4A
Высота：11mm
Длина：8mm
Ширина：3.25mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1218

1+： $0.38825
10+： $0.36628
100+： $0.34555
500+： $0.32599
1000+： $0.30753

Итого $0.38825

аналогичные продукты

BD678AS ON Semiconductor
от$0.3882546 Со склада 1218
BD680AS ON Semiconductor
Запрос Со склада 12500
BD676AS ON Semiconductor
от$0.8423775 Со склада 54
KSE700STU ON Semiconductor
Запрос Со склада 208

Телефон

BD678AS