BD676AS

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
TRANS PNP DARL 45V 4A TO-126
Date Sheet

Lagernummer 54

1+： $0.84238
10+： $0.79470
100+： $0.74971
500+： $0.70728
1000+： $0.66724

Zwischensummenbetrag $0.84238

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：6 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Количество контактов：3
Вес：761mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.8V
Максимальная мощность рассеяния：14W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：750
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2002
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-45V
Моментальный ток：-4A
Основной номер части：BD676
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：14W
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 2A 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.8V @ 40mA, 2A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
Прямоходящий ток коллектора：-4A
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 54

1+： $0.84238
10+： $0.79470
100+： $0.74971
500+： $0.70728
1000+： $0.66724

Итого $0.84238

аналогичные продукты

BD676AS ON Semiconductor
от$0.8423775 Со склада 54
BD438STU ON Semiconductor
от$0.322106 Со склада 527
BD438S ON Semiconductor
от$0.402388 Со склада 28000
BD680AS ON Semiconductor
Запрос Со склада 12500

Телефон

BD676AS