Изображение служит лишь для справки
BD682S
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS PNP DARL 100V 4A TO-126
Date Sheet
Lagernummer 109
- 1+: $0.77598
- 10+: $0.73206
- 100+: $0.69062
- 500+: $0.65153
- 1000+: $0.61465
Zwischensummenbetrag $0.77598
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя:2 Weeks
- Корпус / Кейс:TO-225AA, TO-126-3
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Количество контактов:3
- Вес:761mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Минимальная частота работы в герцах:750
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2.5V
- Максимальная мощность рассеяния:14W
- Количество элементов:1
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2002
- Рабочая температура:150°C TJ
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-100V
- Моментальный ток:-4A
- Основной номер части:BD682
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Single
- Мощность - Макс:14W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:PNP - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):100V
- Максимальный ток сбора:4A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:750 @ 1.5A 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:2.5V @ 30mA, 1.5A
- Частота перехода:3MHz
- Максимальное напряжение разрушения:22V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):-100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):-5V
- Прямоходящий ток коллектора:-4A
- Ширина:3.25mm
- Высота:11mm
- Длина:8mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 109
- 1+: $0.77598
- 10+: $0.73206
- 100+: $0.69062
- 500+: $0.65153
- 1000+: $0.61465
Итого $0.77598










