BD442STU

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
TRANS PNP 80V 4A TO-126
Date Sheet

Lagernummer 1510

1+： $0.25608
10+： $0.24158
100+： $0.22791
500+： $0.21501
1000+： $0.20284

Zwischensummenbetrag $0.25608

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Количество контактов：3
Вес：761mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Collector-Emitter Saturation Voltage：-800mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：3MHz
Максимальная мощность рассеяния：36W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：15
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-80V
Моментальный ток：-4A
Частота：3MHz
Основной номер части：BD442
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：36W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 500mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：800mV @ 200mA, 2A
Частота перехода：3MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1510

1+： $0.25608
10+： $0.24158
100+： $0.22791
500+： $0.21501
1000+： $0.20284

Итого $0.25608

аналогичные продукты

BD442STU ON Semiconductor
от$0.2560761 Со склада 1510
BD682S ON Semiconductor
от$0.77598 Со склада 109
BD440S ON Semiconductor
от$1.12533 Со склада 44976
BD680ASTU ON Semiconductor
от$0.8385219 Со склада 17

Телефон

BD442STU