BULB49DT4

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：450V
Максимальная мощность рассеяния：80W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：10
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：245
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：BULB49
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：80W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：450V
Максимальный ток сбора：5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：4 @ 7A 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.2V @ 800mA, 4A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：850V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：10V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BULB49DT4 STMicroelectronics
Запрос Со склада 0
FJB102TM ON Semiconductor
от$1.58297 Со склада 48
FJB5555TM ON Semiconductor
от$2.189022 Со склада 58000
FJB3307DTM ON Semiconductor
от$1.242548 Со склада 6

Телефон

BULB49DT4