Изображение служит лишь для справки
FJB3307DTM
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 6
- 1+: $1.24255
- 10+: $1.17222
- 100+: $1.10586
- 500+: $1.04327
- 1000+: $0.98421
Zwischensummenbetrag $1.24255
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов:3
- Вес:1.31247g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:400V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:3V
- Максимальная мощность рассеяния:1.72W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:8
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2012
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Форма вывода:GULL WING
- Основной номер части:FJB3307
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:1.72W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):400V
- Максимальный ток сбора:8A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:5 @ 5A 5V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 2A, 8A
- Максимальная частота:1MHz
- Максимальное напряжение разрушения:400V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):700V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):9V
- Прямоходящий ток коллектора:8A
- Высота:4.83mm
- Длина:10.67mm
- Ширина:9.65mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 6
- 1+: $1.24255
- 10+: $1.17222
- 100+: $1.10586
- 500+: $1.04327
- 1000+: $0.98421
Итого $1.24255
аналогичные продукты










