Изображение служит лишь для справки
FJB102TM
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 48
- 1+: $1.58297
- 10+: $1.49337
- 100+: $1.40884
- 500+: $1.32909
- 1000+: $1.25386
Zwischensummenbetrag $1.58297
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов:3
- Вес:1.31247g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2V
- Максимальная мощность рассеяния:80W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:200
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2014
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:100V
- Форма вывода:GULL WING
- Моментальный ток:8A
- Основной номер части:FJB102
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:80W
- Тип транзистора:NPN - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):100V
- Максимальный ток сбора:8A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:1000 @ 3A 4V
- Ток - отсечка коллектора (макс):50μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:2.5V @ 80mA, 8A
- Максимальное напряжение разрушения:100V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 48
- 1+: $1.58297
- 10+: $1.49337
- 100+: $1.40884
- 500+: $1.32909
- 1000+: $1.25386
Итого $1.58297
аналогичные продукты










