BUL128D-B

Lagernummer 6

1+： $0.97505
10+： $0.91986
100+： $0.86779
500+： $0.81867
1000+： $0.77233

Zwischensummenbetrag $0.97505

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：400V
Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
Максимальная мощность рассеяния：70W
Количество элементов：1
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Основной номер части：BUL128
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：70W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：400V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：12 @ 2A 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：250μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 1A, 4A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：700V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：9V
Высота：9.15mm
Длина：10.4mm
Ширина：4.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 6

1+： $0.97505
10+： $0.91986
100+： $0.86779
500+： $0.81867
1000+： $0.77233

Итого $0.97505

аналогичные продукты

BUL128D-B STMicroelectronics
от$0.975052 Со склада 6
FJP3305H2TU ON Semiconductor
от$1.455507 Со склада 28000
FJP3305H1TU ON Semiconductor
от$0.755379 Со склада 18900
FJP5554 ON Semiconductor
Запрос Со склада 1000

Телефон

BUL128D-B