FJP3305H2TU

Lagernummer 28000

1+： $1.44927
10+： $1.36724
100+： $1.28985
500+： $1.21684
1000+： $1.14796

Zwischensummenbetrag $1.44927

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：400V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：4MHz
Максимальная мощность рассеяния：75W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：8
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：700V
Моментальный ток：4A
Частота：4MHz
Основной номер части：FJP3305
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：75W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：400V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：26 @ 1A 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA ICBO
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 1A, 4A
Частота перехода：4MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：700V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：9V
Высота：16.51mm
Длина：10.67mm
Ширина：4.83mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 28000

1+： $1.44927
10+： $1.36724
100+： $1.28985
500+： $1.21684
1000+： $1.14796

Итого $1.44927

аналогичные продукты

FJP3305H2TU ON Semiconductor
от$1.44927 Со склада 28000
FJP13007TU ON Semiconductor
от$0.665325 Со склада 533
FJP3305H1TU ON Semiconductor
от$0.756146 Со склада 18900
FJP13007H1TU ON Semiconductor
Запрос Со склада 20

Телефон

FJP3305H2TU