FJP13007TU

Lagernummer 534

1+： $0.66771
10+： $0.62992
100+： $0.59426
500+： $0.56062
1000+： $0.52889

Zwischensummenbetrag $0.66771

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя：15 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：400V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：5
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：400V
Максимальная потеря мощности：80W
Моментальный ток：8A
Частота：4MHz
Основной номер части：FJP13007
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：80W
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：4MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：400V
Максимальный ток сбора：8A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：5 @ 5A 5V
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：3V @ 2A, 8A
Частота перехода：4MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：700V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：9V
Высота：9.4mm
Длина：10.67mm
Ширина：4.83mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 534

1+： $0.66771
10+： $0.62992
100+： $0.59426
500+： $0.56062
1000+： $0.52889

Итого $0.66771

аналогичные продукты

FJP13007TU ON Semiconductor
от$0.66771 Со склада 534
FJP13009H2TU ON Semiconductor
от$4.168756 Со склада 5000
FJP3307DH2TU ON Semiconductor
от$0.2662668 Со склада 2746
FJP13007H1TU ON Semiconductor
Запрос Со склада 20

Телефон

FJP13007TU