FJP5554

Lagernummer 1000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：400V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：20
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：70W
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：70W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：400V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 800mA 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：250μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 1A, 3.5A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：1.05kV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：15V
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 1000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FJP5554 ON Semiconductor
Запрос Со склада 1000
FJP3305H2TU ON Semiconductor
от$1.454879 Со склада 28000
FJP3305H1TU ON Semiconductor
от$0.751765 Со склада 5214100
FJP5555TU ON Semiconductor
от$1.492686 Со склада 28000

Телефон

FJP5554