Изображение служит лишь для справки
MPSA29
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO-92
Date Sheet
Lagernummer 10000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов:3
- Вес:201mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1.2V
- Максимальная мощность рассеяния:625mW
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:10000
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2005
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:100V
- Положение терминала:BOTTOM
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Моментальный ток:800mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Основной номер части:MPSA29
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:625mW
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Тип транзистора:NPN - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):100V
- Максимальный ток сбора:500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:10000 @ 100mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.5V @ 100μA, 100mA
- Частота перехода:200MHz
- Максимальное напряжение разрушения:100V
- Частота - Переход:125MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):12V
- Прямоходящий ток коллектора:500mA
- Высота:4.7mm
- Длина:4.7mm
- Ширина:3.93mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free










