Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
KSP06BU
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN 80V 0.5A TO-92
Date Sheet
Lagernummer 547
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя：6 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов：3
- Вес：179mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：50
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2007
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
- Максимальная потеря мощности：625mW
- Положение терминала：BOTTOM
- Моментальный ток：500mA
- Частота：100MHz
- Основной номер части：KSP06
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：625mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Продуктивность полосы частот：100MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
- Максимальный ток сбора：500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 100mA 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 10mA, 100mA
- Частота перехода：100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：4V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
