2N5830

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TRANS NPN 100V 0.2A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 40636

1+： $0.10163
10+： $0.09588
100+： $0.09045
500+： $0.08533
1000+： $0.08050

Zwischensummenbetrag $0.10163

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-92-3
Вес：201mg
Диэлектрический пробой напряжение：100V
Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
Максимальный коллекторный ток (Ic)：200mA
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：80
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：1997
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Максимальная потеря мощности：625mW
Моментальный ток：200mA
Основной номер части：2N5830
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：625mW
Мощность - Макс：625mW
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
Максимальный ток сбора：200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 5mA, 50mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：100V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 40636

1+： $0.10163
10+： $0.09588
100+： $0.09045
500+： $0.08533
1000+： $0.08050

Итого $0.10163

аналогичные продукты

2N5830 ON Semiconductor
от$0.1016325 Со склада 40636
2N3904TA ON Semiconductor
от$0.208118 Со склада 33009
2N3904BU ON Semiconductor
от$0.224474 Со склада 4000
2N3904TF ON Semiconductor
от$0.353809 Со склада 2000

Телефон

2N5830