2SC6017-TL-E

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Bipolar Transistor, 50V, 10A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Date Sheet

Lagernummer 2799

1+： $1.50081
10+： $1.41586
100+： $1.33572
500+： $1.26011
1000+： $1.18879

Zwischensummenbetrag $1.50081

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 11 hours ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Collector-Emitter Saturation Voltage：180mV
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：200
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e6
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Максимальная потеря мощности：950mW
Код соответствия REACH：not_compliant
Частота：200MHz
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：950mW
Продуктивность полосы частот：200MHz
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：360mV
Максимальный ток сбора：10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：360mV @ 250mA, 5A
Максимальное напряжение разрушения：50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2799

1+： $1.50081
10+： $1.41586
100+： $1.33572
500+： $1.26011
1000+： $1.18879

Итого $1.50081

аналогичные продукты

2SC6017-TL-E ON Semiconductor
от$1.500814 Со склада 2799
2SC5707-TL-E ON Semiconductor
от$1.717202 Со склада 490
KSH3055TF ON Semiconductor
Запрос Со склада 790
KSH3055TM ON Semiconductor
Запрос Со склада 5800

Телефон

2SC6017-TL-E