Изображение служит лишь для справки
2SC5707-TL-E
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Bipolar Transistor, 50V, 8A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Date Sheet
Lagernummer 490
- 1+: $1.71720
- 10+: $1.62000
- 100+: $1.52830
- 500+: $1.44180
- 1000+: $1.36018
Zwischensummenbetrag $1.71720
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:240mV
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:200
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2005
- Код JESD-609:e6
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Максимальная потеря мощности:1W
- Частота:330MHz
- Число контактов:3
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:1W
- Продуктивность полосы частот:330MHz
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):50V
- Максимальный ток сбора:8A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:200 @ 500mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:240mV @ 175mA, 3.5A
- Максимальное напряжение разрушения:50V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
- Высота:2.3mm
- Длина:6.5mm
- Ширина:5.5mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 490
- 1+: $1.71720
- 10+: $1.62000
- 100+: $1.52830
- 500+: $1.44180
- 1000+: $1.36018
Итого $1.71720
аналогичные продукты










