Изображение служит лишь для справки
KSH3055TF
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS NPN 60V 10A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 790
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов:3
- Вес:260.37mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1.1V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:20
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2002
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:60V
- Максимальная потеря мощности:1.75W
- Форма вывода:GULL WING
- Моментальный ток:5A
- Частота:2MHz
- Основной номер части:KSH3055
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:1.75W
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Продуктивность полосы частот:2MHz
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):60V
- Максимальный ток сбора:10A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:20 @ 4A 4V
- Ток - отсечка коллектора (макс):50μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:8V @ 3.3A, 10A
- Частота перехода:2MHz
- Максимальное напряжение разрушения:60V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):70V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Высота:2.3mm
- Длина:6.6mm
- Ширина:6.1mm
- REACH SVHC:Unknown
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 790
Итого $0.00000
аналогичные продукты










