Главное Discrete Semiconductor Products Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased FJNS4206RTA
Изображение служит лишь для справки
FJNS4206RTA
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- TO-226-3, TO-92-3 Short Body
- TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
Date Sheet
Lagernummer 311
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 Short Body
- Количество контактов:3
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Минимальная частота работы в герцах:68
- Пакетирование:Tape & Box (TB)
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-50V
- Максимальная потеря мощности:300mW
- Моментальный ток:-100mA
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:300mW
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):50V
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:68 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 500μA, 10mA
- Частота - Переход:200MHz
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):-10V
- База (R1):10 k Ω
- Прямоходящий ток коллектора:-100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47 k Ω
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 311
Итого $0.00000
аналогичные продукты










