Главное Discrete Semiconductor Products Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased FJNS4202RTA
Изображение служит лишь для справки
FJNS4202RTA
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- TO-226-3, TO-92-3 Short Body
- TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
Date Sheet
Lagernummer 524718
- 1+: $0.06173
- 10+: $0.05824
- 100+: $0.05494
- 500+: $0.05183
- 1000+: $0.04890
Zwischensummenbetrag $0.06173
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 Short Body
- Поставщик упаковки устройства:TO-92S
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Минимальная частота работы в герцах:30
- Пакетирование:Tape & Box (TB)
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-50V
- Максимальная потеря мощности:300mW
- Моментальный ток:-100mA
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:300mW
- Мощность - Макс:300mW
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):300mV
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:30 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота - Переход:200MHz
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):-10V
- База (R1):10 kOhms
- Прямоходящий ток коллектора:-100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2):10 kOhms
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 524718
- 1+: $0.06173
- 10+: $0.05824
- 100+: $0.05494
- 500+: $0.05183
- 1000+: $0.04890
Итого $0.06173
аналогичные продукты










