3LN01C-TB-E

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Date Sheet

Lagernummer 1748

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：150mA Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.5V 4V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：250mW Ta
Время отключения：155 ns
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e6
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：250mW
Время задержки включения：19 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.7 Ω @ 80mA, 4V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.58nC @ 10V
Время подъема：65ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±10V
Время падения (тип)：120 ns
Непрерывный ток стока (ID)：150mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.15A
Высота：1.1mm
Длина：2.9mm
Ширина：1.5mm
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1748

Итого $0.00000

аналогичные продукты

3LN01C-TB-E ON Semiconductor
Запрос Со склада 1748
DMN63D8L-7 Diodes Incorporated
Запрос Со склада 50
DMN63D8L-13 Diodes Incorporated
Запрос Со склада 3000
3LP01C-TB-E ON Semiconductor
Запрос Со склада 14568
3LP01C-TB-H ON Semiconductor
Запрос Со склада 100

Телефон

3LN01C-TB-E