3LP01C-TB-H

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET P-CH 30V 100MA CP
Date Sheet

Lagernummer 100

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：8 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100mA Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.5V 4V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：250mW Ta
Время отключения：120 ns
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2000
Код JESD-609：e6
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения：24 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10.4 Ω @ 50mA, 4V
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7.5pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.43nC @ 10V
Время подъема：55ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±10V
Время падения (тип)：130 ns
Непрерывный ток стока (ID)：100mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.1A
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 100

Итого $0.00000

аналогичные продукты

3LP01C-TB-H ON Semiconductor
Запрос Со склада 100
IRLML6344TRPBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 9000
IRLML6346TRPBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 151
3LN01C-TB-E ON Semiconductor
Запрос Со склада 1748
3LN01C-TB-H ON Semiconductor
Запрос Со склада 23323

Телефон

3LP01C-TB-H