FDS8670

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 79999

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：8
Вес：230.4mg
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：21A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Время отключения：56 ns
Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta
Количество элементов：1
Опубликовано：2005
Серия：PowerTrench®
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Завершение：SMD/SMT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2.5W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.7m Ω @ 21A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4040pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：82nC @ 10V
Время подъема：11ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：68 ns
Непрерывный ток стока (ID)：21A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Двухпитание напряжения：30V
Номинальное Vgs：1.4 V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
REACH SVHC：No SVHC
Без свинца：Lead Free

Со склада 79999

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FDS8670 ON Semiconductor
Запрос Со склада 79999
FDS6699S ON Semiconductor
Запрос Со склада 4000
STS26N3LLH6 STMicroelectronics
Запрос Со склада 30000
IRF8788PBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 8
IRF8734PBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 8810

Телефон

FDS8670