STS26N3LLH6

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 30000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя：20 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：26A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.7W Ta
Время отключения：75 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：DeepGATE™, STripFET™ VI
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：4.4mOhm
Дополнительная Характеристика：ULTRA-LOW RESISTANCE
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：STS26
Число контактов：8
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.7W
Время задержки включения：17 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.4m Ω @ 13A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4040pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40nC @ 4.5V
Время подъема：18ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：46 ns
Непрерывный ток стока (ID)：26A
Пороговое напряжение：1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：525 mJ
Номинальное Vgs：1 V
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 30000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STS26N3LLH6 STMicroelectronics
Запрос Со склада 30000
IRF7832TRPBF Infineon Technologies
от$1.399078 Со склада 50
FDS8670 ON Semiconductor
от$1.02926 Со склада 79999

Телефон

STS26N3LLH6