FDB8878

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 448

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-263
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：48A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния：47.3W Tc
Время отключения：14.8 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：175°C
Минимальная температура работы：-55°C
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：47.3W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：14mOhm @ 40A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1235pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23nC @ 10V
Время подъема：244ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：35.3 ns
Непрерывный ток стока (ID)：48A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Входной ёмкости：1.235nF
Сопротивление стока к истоку：14mOhm
Rds на макс.：14 mΩ
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 448

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FDB8878 ON Semiconductor
Запрос Со склада 448
FDB7030BL ON Semiconductor
от$0.69433 Со склада 21835
IPB147N03LGATMA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 526
FDB6030L ON Semiconductor
от$0.6344316 Со склада 24361
IRL3715SPBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 502

Телефон

FDB8878