FDB6030L

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 16262

1+： $0.71470
10+： $0.67424
100+： $0.63608
500+： $0.60007
1000+： $0.56611

Zwischensummenbetrag $0.71470

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Количество контактов：3
Вес：1.31247g
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：48A Ta
Максимальная мощность рассеяния：52W Tc
Время отключения：29 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Рабочая температура：-65°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2012
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Сопротивление：13MOhm
Моментальный ток：52A
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：52W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：13m Ω @ 26A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1250pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：18nC @ 5V
Время подъема：12ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：12 ns
Непрерывный ток стока (ID)：48A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 16262

1+： $0.71470
10+： $0.67424
100+： $0.63608
500+： $0.60007
1000+： $0.56611

Итого $0.71470

аналогичные продукты

FDB6030L ON Semiconductor
от$0.7146954 Со склада 16262
FDB7030BL ON Semiconductor
от$0.613466 Со склада 21835
IPB096N03LGATMA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 0
FDB8878 ON Semiconductor
Запрос Со склада 448

Телефон

FDB6030L