FDD6780A

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 100650

1+： $0.76973
10+： $0.72616
100+： $0.68506
500+： $0.64628
1000+： $0.60970

Zwischensummenbetrag $0.76973

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：16.4A Ta 30A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.7W Ta 32.6W Tc
Время отключения：16 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：8.6MOhm
Форма вывода：GULL WING
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：3.7W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：7 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.6m Ω @ 16.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1235pF @ 13V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：24nC @ 10V
Время подъема：3ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：3 ns
Непрерывный ток стока (ID)：16.4A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：48A
Напряжение пробоя стока к истоку：25V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：24 mJ
Высота：2.39mm
Длина：6.73mm
Ширина：6.22mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 100650

1+： $0.76973
10+： $0.72616
100+： $0.68506
500+： $0.64628
1000+： $0.60970

Итого $0.76973

аналогичные продукты

FDD6780A ON Semiconductor
от$0.769729 Со склада 100650
FDD6796A ON Semiconductor
Запрос Со склада 785
FDD6778A ON Semiconductor
от$0.5224113 Со склада 151944

Телефон

FDD6780A