FDD6796A

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET NCH 25V 20A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 785

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A Ta 40A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.7W Ta 42W Tc
Время отключения：19 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Форма вывода：GULL WING
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：3.7W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：8 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.7m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1780pF @ 13V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：34nC @ 10V
Время подъема：7ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：4 ns
Непрерывный ток стока (ID)：20A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：67A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0057Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：25V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：40 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 785

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FDD6796A ON Semiconductor
Запрос Со склада 785
NTD4857NT4G ON Semiconductor
Запрос Со склада 14
FDD6780A ON Semiconductor
от$0.769729 Со склада 100650

Телефон

FDD6796A