Изображение служит лишь для справки

FQPF1N50

Lagernummer 225

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-220-3 Full Pack
  • Максимальная мощность рассеяния:16W Tc
  • Время отключения:8 ns
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:900mA Tc
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:5V @ 250μA
  • Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
  • Пакетирование:Tube
  • Серия:QFET®
  • Опубликовано:2000
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Ток постоянного напряжения - номинальный:500V
  • Моментальный ток:1.4A
  • Конфигурация элемента:Single
  • Распад мощности:16W
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:9 Ω @ 450mA, 10V
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:150pF @ 25V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:5.5nC @ 10V
  • Время подъема:25ns
  • Угол настройки (макс.):±30V
  • Время падения (тип):20 ns
  • Непрерывный ток стока (ID):900mA
  • Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30V
  • Напряжение пробоя стока к истоку:500V
  • Состояние RoHS:RoHS Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 225

Итого $0.00000

аналогичные продукты

  • FQPF1N50 ON Semiconductor

    Запрос Со склада 225

  • STP5NK50ZFP STMicroelectronics

    Запрос Со склада 2000

  • FQPF1P50 ON Semiconductor

    Запрос Со склада 793

  • FQPF1N60 ON Semiconductor

    Запрос Со склада 0