FQPF1N60

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3 Full Pack
MOSFET N-CH 600V 0.9A TO-220F
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Максимальная мощность рассеяния：21W Tc
Время отключения：7 ns
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：900mA Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2008
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
Моментальный ток：1.2A
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：21W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11.5 Ω @ 450mA, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：150pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6nC @ 10V
Время подъема：25ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：25 ns
Непрерывный ток стока (ID)：900mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FQPF1N60 ON Semiconductor
Запрос Со склада 0
FQPF2N60C ON Semiconductor
от$0.436484 Со склада 5641
STF2NK60Z STMicroelectronics
Запрос Со склада 90000
FQPF1P50 ON Semiconductor
Запрос Со склада 793
FQPF1N50 ON Semiconductor
Запрос Со склада 225

Телефон

FQPF1N60