FQP3N30

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 2500

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：9 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：55W Tc
Время отключения：10 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.2A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：300V
Моментальный ток：3.2A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：55W
Время задержки включения：10 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.2 Ω @ 1.6A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：230pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7nC @ 10V
Время подъема：40ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：25 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.2A
Пороговое напряжение：1.65V
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：300V
Ширина：4.7mm
Высота：16.3mm
Длина：10.67mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2500

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FQP3N30 ON Semiconductor
Запрос Со склада 2500
STP4NK60Z STMicroelectronics
Запрос Со склада 120
FQP3P20 ON Semiconductor
Запрос Со склада 39
FQP4N25 ON Semiconductor
Запрос Со склада 2669

Телефон

FQP3N30