FQP3P20

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 39

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：52W Tc
Время отключения：12 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.8A Tc
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：2.7Ohm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-200V
Моментальный ток：-2.8A
Напряжение：200V
Конфигурация элемента：Single
Текущий：28A
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：52W
Время задержки включения：8.5 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.7 Ω @ 1.4A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：250pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8nC @ 10V
Время подъема：35ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：25 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.8A
Пороговое напряжение：-5V
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：-200V
Длина：10.67mm
Высота：16.3mm
Ширина：4.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 39

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FQP3P20 ON Semiconductor
Запрос Со склада 39
FQP4N25 ON Semiconductor
Запрос Со склада 2669
IRL610A ON Semiconductor
Запрос Со склада 797

Телефон

FQP3P20