Изображение служит лишь для справки
STD70N6F3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 2500
- 1+: $2.51268
- 10+: $2.37045
- 100+: $2.23627
- 500+: $2.10969
- 1000+: $1.99027
Zwischensummenbetrag $2.51268
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:70A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:110W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Серия:STripFET™ III
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:10.5MOhm
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Основной номер части:STD70N
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:110W
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:10.5m Ω @ 35A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2200pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:35nC @ 10V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):70A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Напряжение пробоя стока к истоку:60V
- Максимальный импульсный ток вывода:280A
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 2500
- 1+: $2.51268
- 10+: $2.37045
- 100+: $2.23627
- 500+: $2.10969
- 1000+: $1.99027
Итого $2.51268
аналогичные продукты










