STD60N55F3

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Date Sheet

Lagernummer 900

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：110W Tc
Время отключения：35 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™ III
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：8.5MOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Основной номер части：STD60N
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：110W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：20 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.5m Ω @ 32A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2200pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45nC @ 10V
Время подъема：50ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：11.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：80A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：55V
Высота：2.4mm
Длина：6.6mm
Ширина：6.2mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 900

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STD60N55F3 STMicroelectronics
Запрос Со склада 900
STD65N55F3 STMicroelectronics
от$2.362202 Со склада 15000
STD95N4F3 STMicroelectronics
от$2.038668 Со склада 8466

Телефон

STD60N55F3