FDD8874

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
Date Sheet

Lagernummer 9000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：10 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3
Количество контактов：3
Вес：260.37mg
Количество элементов：1
Время отключения：47 ns
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：175°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
Максимальная потеря мощности：110W
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：116A
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：110W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：9 ns
Применение транзистора：SWITCHING
Время подъема：96ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Время падения (тип)：37 ns
Непрерывный ток стока (ID)：116A
Код JEDEC-95：TO-252AA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Входной ёмкости：2.99nF
Рейтинг энергии лавины (Eas)：240 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Сопротивление стока к истоку：5.1mOhm
Rds на макс.：5.1 mΩ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 9000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FDD8874 ON Semiconductor
Запрос Со склада 9000
FDD6688 ON Semiconductor
Запрос Со склада 68000
IRLR7833TRPBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 36937

Телефон

FDD8874