FDD6688

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
Date Sheet

Lagernummer 68000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：10 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：3
Вес：260.37mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：83W Ta
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：84A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Время отключения：62 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：84A
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：83W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：15 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5m Ω @ 18A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3845pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：56nC @ 10V
Время подъема：13ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：36 ns
Непрерывный ток стока (ID)：84A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.005Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 68000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FDD6688 ON Semiconductor
Запрос Со склада 68000
IRLR8726TRPBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 803
IRLR8113PBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 29100

Телефон

FDD6688