STB13N80K5

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 15000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：190W Tc
Время отключения：42 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 100μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：SuperMESH5™
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：450mOhm
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：STB13N
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：190W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：16 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：450m Ω @ 6A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：870pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：29nC @ 10V
Время подъема：16ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：16 ns
Непрерывный ток стока (ID)：12A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：800V
Максимальный импульсный ток вывода：48A
Высота：4.6mm
Длина：10.4mm
Ширина：9.35mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 15000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STB13N80K5 STMicroelectronics
Запрос Со склада 15000
STB11NM60T4 STMicroelectronics
Запрос Со склада 2699
STB11NM80T4 STMicroelectronics
Запрос Со склада 63259
STB15N80K5 STMicroelectronics
Запрос Со склада 11248

Телефон

STB13N80K5