Изображение служит лишь для справки
STB15N80K5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ SuperMESH V 14A
Date Sheet
Lagernummer 11248
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:26 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:1
- Время отключения:44 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:5V @ 100μA
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:14A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:190W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Серия:SuperMESH5™
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
- Форма вывода:GULL WING
- Основной номер части:STB15N
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:190W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:19 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:375m Ω @ 7A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1100pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:32nC @ 10V
- Время подъема:17.6ns
- Угол настройки (макс.):±30V
- Время падения (тип):10 ns
- Непрерывный ток стока (ID):14A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30V
- Напряжение пробоя стока к истоку:800V
- Максимальный импульсный ток вывода:56A
- Ширина:9.35mm
- Высота:4.6mm
- Длина:10.4mm
- REACH SVHC:not_compliant
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 11248
Итого $0.00000
аналогичные продукты










