STP52N25M5

Lagernummer 76

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：28A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：110W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 100μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：MDmesh™ V
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：ULTRA LOW-ON RESISTANCE
Положение терминала：SINGLE
Основной номер части：STP52N
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：110W
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：65m Ω @ 14A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1770pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：47nC @ 10V
Время подъема：18ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：64 ns
Непрерывный ток стока (ID)：28A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Сопротивление открытого канала-макс：0.065Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：250V
Максимальный импульсный ток вывода：112A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：230 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 76

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STP52N25M5 STMicroelectronics
Запрос Со склада 76
STP30NF20 STMicroelectronics
Запрос Со склада 3588
STP50NF25 STMicroelectronics
Запрос Со склада 10000
IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 50
IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 52388

Телефон

STP52N25M5