STP30NF20

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet

Lagernummer 3588

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：125W Tc
Время отключения：38 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：STripFET™
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：75mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：200V
Моментальный ток：30A
Основной номер части：STP30N
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：125W
Время задержки включения：35 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：75m Ω @ 15A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1597pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：38nC @ 10V
Время подъема：15.7ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：8.8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：30A
Код JEDEC-95：TO-247
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：200V
Высота：15.75mm
Длина：10.4mm
Ширина：4.6mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3588

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STP30NF20 STMicroelectronics
Запрос Со склада 3588
FDP39N20 ON Semiconductor
Запрос Со склада 26000
IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 50
BUZ30AHXKSA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 480

Телефон

STP30NF20