STFI13NK60Z

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-262-3 Full Pack, I2Pak
MOSFET N-Ch 600V 0.48 Ohm 13A SuperMESH
Date Sheet

Lagernummer 1500

1+： $3.72598
10+： $3.51508
100+： $3.31611
500+： $3.12841
1000+： $2.95133

Zwischensummenbetrag $3.72598

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-262-3 Full Pack, I2Pak
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：35W Tc
Время отключения：61 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 100μA
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13A Tc
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：SuperMESH™
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：Not Applicable
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：SINGLE
Основной номер части：STFI13N
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：35W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：22 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：550m Ω @ 4.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2030pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：92nC @ 10V
Время подъема：14ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：21 ns
Непрерывный ток стока (ID)：13A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Сопротивление открытого канала-макс：0.55Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Максимальный импульсный ток вывода：52A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：400 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1500

1+： $3.72598
10+： $3.51508
100+： $3.31611
500+： $3.12841
1000+： $2.95133

Итого $3.72598

аналогичные продукты

STFI13NK60Z STMicroelectronics
от$3.725981 Со склада 1500
FQI13N50CTU ON Semiconductor
от$1.810902 Со склада 32365
STFI10NK60Z STMicroelectronics
от$2.3688576 Со склада 1177

Телефон

STFI13NK60Z