STFI10NK60Z

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-262-3 Full Pack, I2Pak
MOSFET N-Ch 600V 0.65 Ohm 10A SuperMESH
Date Sheet

Lagernummer 1177

1+： $2.36886
10+： $2.23477
100+： $2.10827
500+： $1.98894
1000+： $1.87636

Zwischensummenbetrag $2.36886

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-262-3 Full Pack, I2Pak
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：35W Tc
Время отключения：55 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：SuperMESH™
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Положение терминала：SINGLE
Основной номер части：STFI10N
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：35W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：20 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：750m Ω @ 4.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1370pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：70nC @ 10V
Время подъема：20ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：30 ns
Непрерывный ток стока (ID)：10A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Сопротивление открытого канала-макс：0.75Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1177

1+： $2.36886
10+： $2.23477
100+： $2.10827
500+： $1.98894
1000+： $1.87636

Итого $2.36886

аналогичные продукты

STFI10NK60Z STMicroelectronics
от$2.3688576 Со склада 1177
STB10NK60Z-1 STMicroelectronics
Запрос Со склада 50
STFI13NK60Z STMicroelectronics
от$3.725981 Со склада 1500

Телефон

STFI10NK60Z